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零件图片（仅供参考）
JAN2N5012S
规格参数
  • 制造商产品型号：JAN2N5012S
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）,已被Microchip收购
  • 描述：NPN TRANSISTOR
  • 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
  • 产品系列：Military, MIL-PRF-19500/727
  • 零件状态：停产
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：200mA
  • 电压-集射极击穿（最大值）：700V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：-
  • 电流-集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：30 @ 25mA，10V
  • 功率-最大值：1W
  • 频率-跃迁：-
  • 工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
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    基本参数：
  • 电子零件型号：JAN2N5012S
  • 原始制造厂商：Microsemi（美高森美）
  • 技术标准参数：NPN TRANSISTOR
  • 产品应用分类：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
  • 点击此处查询JAN2N5012S的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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