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零件图片（仅供参考）
JAN1N6629US
规格参数
  • 制造商产品型号：JAN1N6629US
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）,已被Microchip收购
  • 描述：DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B
  • 系列：二极管 - 整流器 - 单
  • 产品系列：Military, MIL-PRF-19500/590
  • 零件状态：有源
  • 二极管类型：标准
  • 电压-DC反向(Vr)（最大值）：880V
  • 电流-平均整流(Io)：1.4A
  • 不同If时电压-正向(Vf)：1.4V @ 1.4A
  • 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
  • 反向恢复时间(trr)：50ns
  • 不同Vr时电流-反向泄漏：2μA @ 880V
  • 不同?Vr、F时电容：40pF @ 10V，1MHz
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：E-MELF
  • 供应商器件封装：D-5B
  • JAN1N6629US，Microsemi（美高森美）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：JAN1N6629US
  • 原始制造厂商：Microsemi（美高森美）
  • 技术标准参数：DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B
  • 产品应用分类：二极管 - 整流器 - 单
  • 点击此处查询JAN1N6629US的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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    M2GL060-1FGG484I
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    FPGA（现场可编程门阵列）
    M2GL005-FG484I
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    FPGA（现场可编程门阵列）
    2EZ120D/TR8
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    1N5251BDO35
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    二极管 - 齐纳 - 单
    SMBJ5939C/TR13
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