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零件图片（仅供参考）
APTMC120AM20CT1AG
规格参数
  • 制造商产品型号: APTMC120AM20CT1AG
  • 制造厂家名称: Microsemi Power Products Group
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 1200V SP1
  • 系列: -
  • FET 类型: 2 N 沟道（相角）
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压（Vdss）: 1200V（1.2kV）
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 143A
  • 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 17 毫欧 @ 100A，20V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.3V @ 2mA（标准）
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 360nC @ 20V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 5960pF @ 1000V
  • 功率 - 最大值: 600W
  • 安装类型: *
  • 封装/外壳: *
  • 供应商器件封装: *
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    基本参数：
  • 电子零件型号：APTMC120AM20CT1AG
  • 原始制造厂商：Microsemi（美高森美）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 1200V SP1
  • 产品应用分类：FET - 模块
  • 点击此处查询APTMC120AM20CT1AG的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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