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零件图片(仅供参考)
APTM60A23FT1G
规格参数
  • 制造商产品型号:APTM60A23FT1G
  • 制造商:Microsemi Corporation(美高森美),已被Microchip收购
  • 描述:MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:2 个 N 通道(半桥)
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):20A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):276 毫欧 @ 17A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):165nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5316pF @ 25V
  • 功率-最大值:208W
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 封装:SP1
  • APTM60A23FT1G,Microsemi(美高森美)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:APTM60A23FT1G
  • 原始制造厂商:Microsemi(美高森美)
  • 技术标准参数:MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询APTM60A23FT1G的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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