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零件图片(仅供参考)
APTM50DHM38G
规格参数
  • 制造商产品型号:APTM50DHM38G
  • 制造厂家名称:Microsemi Power Products Group
  • 描述:MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6
  • 系列:-
  • FET 类型:2 N 沟道(双)非对称型
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):500V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):90A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):45 毫欧 @ 45A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):246nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):11200pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:694W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP6
  • 供应商器件封装:SP6
  • APTM50DHM38G,Microsemi(美高森美)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:APTM50DHM38G
  • 原始制造厂商:Microsemi(美高森美)
  • 技术标准参数:MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6
  • 产品应用分类:场效应管模块
  • 点击此处查询APTM50DHM38G的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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    SMBG4763E3/TR13
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    二极管 - 齐纳 - 单
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