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零件图片（仅供参考）
APTM10HM09FTG
规格参数
  • 制造商产品型号：APTM10HM09FTG
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）,已被Microchip收购
  • 描述：MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：4 个 N 通道（H 桥）
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：139A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 69.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：350nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：9875pF @ 25V
  • 功率-最大值：390W
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：SP4
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    基本参数：
  • 电子零件型号：APTM10HM09FTG
  • 原始制造厂商：Microsemi（美高森美）
  • 技术标准参数：MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询APTM10HM09FTG的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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