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零件图片（仅供参考）
APTM100H45SCTG
规格参数
  • 制造商产品型号：APTM100H45SCTG
  • 制造厂家名称：Microsemi Power Products Group
  • 描述：MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
  • 系列：POWER MOS 7
  • FET 类型：4 个 N 通道（H 桥）
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：540 毫欧 @ 9A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：154nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4350pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：357W
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SP4
  • 供应商器件封装：SP4
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    基本参数：
  • 电子零件型号：APTM100H45SCTG
  • 原始制造厂商：Microsemi（美高森美）
  • 技术标准参数：MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
  • 产品应用分类：场效应管模块
  • 点击此处查询APTM100H45SCTG的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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