APTM100DU18TG（Microsemi 美高森美，晶体管 - FET，MOSFET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：APTM100DU18TG

制造商：Microsemi Corporation（美高森美）,已被Microchip收购

描述：MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：2 N-通道（双）

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：1000V（1kV）

25°C时电流-连续漏极(Id)：43A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：210 毫欧 @ 21.5A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：372nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：10400pF @ 25V

功率-最大值：780W

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装：SP4

APTM100DU18TG，Microsemi（美高森美）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：APTM100DU18TG

原始制造厂商：Microsemi（美高森美）

技术标准参数：MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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