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零件图片（仅供参考）
APTGV50H60BG
规格参数
  • 制造商产品型号：APTGV50H60BG
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）,已被Microchip收购
  • 描述：IGBT MODULE 600V 80A 176W SP4
  • 系列：晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：NPT，沟槽型场截止
  • 配置：升压斩波器，全桥
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：80A
  • 功率-最大值：176W
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，50A
  • 电流-集电极截止（最大值）：250μA
  • 不同?Vce时输入电容(Cies)：3.15nF @ 25V
  • 输入：标准
  • NTC热敏电阻：无
  • 工作温度：-
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：SP4
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    基本参数：
  • 电子零件型号：APTGV50H60BG
  • 原始制造厂商：Microsemi（美高森美）
  • 技术标准参数：IGBT MODULE 600V 80A 176W SP4
  • 产品应用分类：晶体管 - IGBT - 模块
  • 点击此处查询APTGV50H60BG的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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