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零件图片（仅供参考）
APTC60DDAM45CT1G
规格参数
  • 制造商产品型号：APTC60DDAM45CT1G
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）,已被Microchip收购
  • 描述：MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：CoolMOS?
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：49A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：45 毫欧 @ 24.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 3mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：150nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7200pF @ 25V
  • 功率-最大值：250W
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：SP1
  • APTC60DDAM45CT1G，Microsemi（美高森美）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：APTC60DDAM45CT1G
  • 原始制造厂商：Microsemi（美高森美）
  • 技术标准参数：MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询APTC60DDAM45CT1G的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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