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零件图片（仅供参考）
APT80M60J
规格参数
  • 制造商产品型号：APT80M60J
  • 制造厂家名称：Microsemi Power Products Group
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
  • 系列：POWER MOS 8?
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：84A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：55 毫欧 @ 60A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：600nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：24000pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：960W
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商器件封装：ISOTOP
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    基本参数：
  • 电子零件型号：APT80M60J
  • 原始制造厂商：Microsemi（美高森美）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
  • 产品应用分类：场效应管模块
  • 点击此处查询APT80M60J的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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