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零件图片（仅供参考）
APT33GF120B2RDQ2G
规格参数
  • 制造商产品型号：APT33GF120B2RDQ2G
  • 制造厂家名称：Microsemi Power Products Group
  • 描述：IGBT 1200V 64A 357W TMAX
  • 系列：-
  • IGBT 类型：NPT
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：64A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：75A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：3V @ 15V，25A
  • 功率 - 最大值：357W
  • Switching Energy：1.315μJ （开）， 1.515μJ （关）
  • 输入类型：标准
  • Gate Charge：170nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值：14ns/185ns
  • Test Condition：800V, 25A, 4.3 欧姆, 15V
  • 反向恢复时间 (trr)：-
  • 封装/外壳：TO-247-3 变式
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：*
  • APT33GF120B2RDQ2G，Microsemi（美高森美）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：APT33GF120B2RDQ2G
  • 原始制造厂商：Microsemi（美高森美）
  • 技术标准参数：IGBT 1200V 64A 357W TMAX
  • 产品应用分类：单路IGBT
  • 点击此处查询APT33GF120B2RDQ2G的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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