APT31M100B2（Microsemi 美高森美，单端场效应管，T-MAX）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：APT31M100B2

制造厂家名称：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX

系列：POWER MOS 8?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：32A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：380 毫欧 @ 16A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：260nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8500pF @ 25V

功率 - 最大值：1040W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3 变式

供应商器件封装：T-MAX [B2]

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基本参数：

电子零件型号：APT31M100B2

原始制造厂商：Microsemi（美高森美）

技术标准参数：MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX

产品应用分类：单端场效应管

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