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零件图片(仅供参考)
1N5615US
规格参数
  • 制造商产品型号:1N5615US
  • 制造商:Microsemi Corporation(美高森美),已被Microchip收购
  • 描述:DIODE GEN PURP 200V 1A D5A
  • 系列:-
  • 二极管类型:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200V
  • 电流 - 平均整流 (Io):1A
  • 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):1.6V @ 3A
  • 速度:快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):150ns
  • 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 200V
  • 不同 Vr、F 时的电容:45pF @ 12V,1MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SQ-MELF, A
  • 供应商器件封装:D-5A
  • 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C
  • 1N5615US,Microsemi(美高森美)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:1N5615US
  • 原始制造厂商:Microsemi(美高森美)
  • 技术标准参数:DIODE GEN PURP 200V 1A D5A
  • 产品应用分类:单二极管整流器
  • 点击此处查询1N5615US的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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